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第67章 参观晶圆厂流水线中（第1页）

这一步显然需要改进，更加自动化的生产线大多都是通过轨道自动运输晶圆，在稳定性和安全性上无疑就是大大超越了人工运输。

“这一步的良品率大概在多少？”王向中靠近牛玉鹏，贴着对方的耳朵问道。

“这个得问质量部门，我一个行政，也不太清楚这些事情。”牛玉鹏也是摊开了手，显得有些无奈。

王向中也没办法，只得点了点头，毕竟牛玉鹏现在不过是个办公室主任，不知道生产上的详细数据倒也很正常。

但显然这一步肯定还是有些许问题的，只要拿到数据，说不定就可以得出一些结论来。不过考虑到成本，只要对工作人员进行更多的培训，也许可以在这个环节上减缓一些损失。

接下来是打磨倒角工艺，在这一环上，需要将每张晶圆打磨至775微米左右的厚度，也就是约o.7毫米左右的厚度，还要特意在晶圆背面做背损伤，以方便后续流程进行杂质的沉积。

而倒角则是要将晶圆边缘侧面进行打磨，将直角面打磨成弧面，以防止在之后的光刻胶喷涂工序和外延生长工序时，不会因为离心力过大而导致晶圆边缘出现沉积现象。

再接下来就是化学刻蚀和cmP（chemical-mechanicalPolishing，化学机械抛光）步骤，这两道工序的目的相同，首先使用硝酸和氢氟酸对晶圆表面进行清洗，保证去除切割所带来的杂质，接着将硅片安装在特定旋转的抛光的仪器上，稍稍打薄个5微米左右的厚度，保证尽可能平整晶圆表面，将起伏控制在5onm以下。

最终，再用超纯水去除晶圆表面所残留的研磨液和抛光垫残留杂质，保证表面残留颗粒不大于1oonm，即可得到单晶衬底，也就是基片，最终送往下一步光刻步骤。

这几个步骤所用的机器都是进口的，也没有人工参与，因此王向中也暂时还没有发现什么问题。

“接下来就要到光刻工序啦，”牛玉鹏笑道，“接下来的东西太专业，我也不知道该怎么讲了，所以就邀请我们的总经理，左为民厂长来给大家进行讲解。”

“总经理？”几人也是面面相觑，不得不说对方也太给面子了，仅仅是解说，居然也请到了总经理。

“大家好，我是晶华晶圆厂的总经理，左为民。”也不知道何时，一个鬼魅般的身影从众人身后走出，旋即回头看向几人，眼神阴厉，让人一看就觉得不太舒服。

“自我介绍一下，我在晶华呆了三十多年了，曾经也是晶华的厂长，亲眼见证晶华从PcB业务做到半导体业务，也是晶华内部最强的技术骨干之一。”左为民继续说道。

王向中见状，则是若有所思地盯了对方一眼，尽管此时对方戴着口罩，但他仍然是可以在对方眼中看出那种相当的自负之意。

不仅是如此，那种阴厉的眼神中，还隐隐藏着不屑之意，似乎是有些看不起他们这些来自水木大学的知识分子，或者可以直接说是对他们存有敌意。

总之，对方来者不善。

“调整好你们的防尘服，接下来的核心区域容不得出现半分错误。”左为民声音冷淡，对着几人指挥道。

不得不说，这左为民身上还是有一种相当的上位者气质的，这轻轻一句话，就吓得白马和金圆圆俩人手忙脚乱地整理起身上地防尘服。

叶志华同样是敏锐地捕捉到了左为民身上的不寻常气息，当下也是眼睛微咪起来。他可不是吓大的，风风雨雨这么多年，什么样的人没见过？这一嗓子，就是典型的下马威。

只是没想到自己这边还没有开始，厂里的保守派就已经跳出来了。

作为水木大学的专家团队，他们暂时还不了解厂里的具体运作状况，所以需要在工程师的帮助下，共同对晶华可能存在的问题进行探讨。

但是这里有一个问题，就是外来技术专家和工程师之间，永远有着不可调和的矛盾。

技术专家的目的是为了解决工程师遗留的问题，这势必要触及到工程师犯下的错误，然后将这个错误摆在台面上来进行论证，最终完善整条生产线中出现的问题。

左为民作为工程师，作为晶华的技术骨干，自然是不愿意承认自己的错误——即使他没有能力，也会想要试图掩盖一切对其不利的证据，即便最终的代价是整个厂消失在历史长河中，他也不愿意让自己的脸面遭受到任何损失。

叶志华将目光投向一旁的牛玉鹏，而此时对方也是摊了摊手，模样也是显得颇为无奈。很显然牛玉鹏是非常清楚这个问题存在的，但是他们解决不了。

这直接说明了，晶华的问题还不仅仅停留于技术层面上，在人的层面上，可能同样有着不小的矛盾。

这在场的一切举动自然也是被王向中尽收眼底，不过他仍然是不动声色，只是笑着上前说道：“左厂长，我们已经准备好了，可以开始了吧？”

左为民轻轻扫了在场众人一眼，轻声道：“跟我来。”

再通过一组气锁室，王向中几人便是到达了晶圆厂的内部核心所在——光刻室。

光刻室，是一家晶圆厂的终极奥秘所在。这里处处遍布着黄色的钠灯用于照明，气压和湿度也达到了一个人类舒适范围之外的指标。

一进入这里，不仅会觉得钠灯的光线特别黄，同时，还会觉得防尘服下变得粘腻燥热起来，就如同进入了高压锅一般。

因为空气的流动特性，气体总是会从高压地区流向低压地区，因此为了保证光刻室内的最大纯净程度，光刻室内的压强起码要比外面的大气压高上5oKpa左右，以保证外部污染物不会随着空气流入光刻室内。

在广义上，光刻中一般包含三个步骤，第一个步骤是涂胶，即涂抹光刻胶。

光刻胶分为正胶和负胶两种，其中正胶遇光就会失去原有化学性质，而负胶遇光就会产生化学性质的变化，这两种胶通常用在不同的工序之中。

第二道工序则是刻蚀，当硅单质基底均匀涂抹光刻胶后，通过光源对光刻胶进行曝光，再使用超纯水和化学物质对基底进行蚀刻，在基底表面留下与光掩模一致的坑道。

而第三道工序则是沉积，在坑道内的不同部分掺入硼、磷等杂质，并使其沉积在基底表面，通过它们不同的化学性质，在基底这张不导电的硅片上人为创造可以单向导电的Pn二极管。

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